● 產品概述
VGF坩堝是應用于VGF技術中的一類坩堝，垂直梯度凝固法（VGF）技術是目前流行的技術，是微光電子和半導體產業生長GaAs單晶和InP單晶的良好選擇。
● 主要特點：
1.可制作大規格坩堝（最大直徑為8inch，最大高度為18inch）；
2.純度保證（>99.99%）；
3.使用次數多(具有優異的層間結構)；
4.成晶率高（通過對各向異性的調整，保證高的成晶率)。
● 主要參數
性能 | 單位 | 數值 | |
密度 | g/cm3 | 2.0-2.19 | |
體積電阻系數 | Ω·cm | 3.11×1011 | |
抗張強度 (力|| “C”) | N/mm2 | 153.86 | |
抗彎強度 | (力|| “C”) | N/mm2 | 243.63 |
(力⊥“C”) | N/mm2 | 197.76 | |
顯微硬度 | - | N/mm2 | 691.88 |
熱傳導率 | - | - | “a”方向 “c”方向 |
(200℃) | W/m·k | 60 2.60 | |
(900℃) | W/m·k | 43.70 2.80 | |
介電強度(室溫) | KV/mm | 56 | |
● 產品應用：
用于VGF法合成半導體單晶及Ⅲ-Ⅴ族化合物。
● 聯系方式：
0534-2129266
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